如果没Ac和D与x无关，则这样，根据扩散的菲克(Ftek)定律 氯化膜的成长视理如上所述，氧化膜变潭是由扩散造成的。wAoNER认为，这种扩散是由于氧化膜中离子的移动而造成的，从而提出了金属离子和电子向外部、氧离子向内部移动的离子移动学说。由此可见，氧化肥的生长速度由离于扩散所控制。因为氧化膜中金屑离子的扩散，是通过品格缺陷进行的，所以金屑离子的扩散速度(即氧化膜的成长速度)，是由品格缺陷决定的。 一般理想的晶体结构，是其组成原子、分子或离子完全则地占有品格结点的位置。但实际上，晶体中存在着种种晶格缺陷。在金肩氧化物晶体里出现的品格缺陷，主要是如图3—6所示的氧过剩型(金属不足型，P型)和氧不足型(金厕过剩型，n型)的品格缺陷。由化学分析结果可知，实际幻化物中，金屑离子和氧离子的含量与化学计员式的组成有偏离。因此，可以认为上述的品格缺陷是存在的。含有氧过剩型缺陷的氧化物有氧化铜、氧化铁、氧化镍、氧化钻、氧化铬等。这些氧化物中有过剩线存在。与此相对应，产生金届离子的空位。由于取化膜本身是电中性的，因此就产生与形成空位点的金屑离子的价数相对应的电子空位。可以认为，这种电子空位是随着占据点降点的金属离子的价数的增加而增加的。金屑离子、电子通过这种缺陷内外部扩散。在氧化膜表面吸附的氧得到电于，成为氧离子向内部扩散。这两者结合形成包化物品格，使氢化膜增长。
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